[디지털데일리 한주엽기자] 삼성전자가 업계 최초로 65나노 구리 공정에 후면조사형(Back Side Illumination, BSI) 기술을 적용한 2800만화소 APS-C 사이즈 이미지센서를 출시했다.

삼성전자는 17일 독일 쾰른에서 개최되는 사진 기자재 전시회 ‘포토키나 2014’에서 2800만 화소 APS-C(Advanced Photo System type-C) 이미지 센서 ‘S5KVB2’를 공개했다고 밝혔다. S5KVB2는 이번 달부터 양산된다. 삼성전자 하이엔드 미러리스 카메라 신제품 NX1에 탑재된다.

APS-C는 디지털일안반사식(DSLR) 및 미러리스 카메라 등에 탑재되는 이미지 센서다. 센서 면적은 23.4x15.6mm로 일반적인 모바일 기기에 사용되는 이미지 센서 대비 20배 정도 넓다. 신제품은 BSI 공정 기술이 적용돼 기존 전면조사형(Front Side Illumination, FSI) 센서 대비 어두운 곳에서도 선명한 사진 결과물을 얻을 수 있다. BSI 기술은 반도체 웨이퍼 후면을 가공해 센서를 뒤집은 형태로 만들어진다. FSI 방식과는 달리 배선층이 아래에 있어 빛 손실이 없다. 따라서 보다 나은 사진 결과물을 내놓을 수 있고 촬영 감도 역시 높아진다.

S5KVB2는 최적화된 메탈 배선을 적용해 업계 최고 수준의 연속 촬영 속도를 구현한다. 풀HD 해상도로는 초당 120프레임, 울트라HD로는 초당 30 프레임의 동영상 촬영을 지원한다. 센서 가장자리 부분의 광량 부족으로 화질이 떨어지는 현상을 개선하기 위해 이 부분의 빛 흡수량을 약 30% 향상시킨 것도 특징이다. 준 전문가용 이상의 카메라 센서에 일반적으로 적용되는 180나노 알루미늄 배선 공정보다 앞선 65나노 구리 배선공정을 적용해 소비전력을 대폭 절감하고 랜덤 노이즈를 크게 줄였다.

삼성전자 시스템LSI 마케팅팀 홍규식 상무는 “65나노 구리배선 BSI 공정 기술은 센서 크기가 제한적인 모바일 분야에 주로 사용되었으나, 이를 업계 최초로 APS-C 센서에 확대 적용한 것”이라며 “앞으로도 지속적인 혁신을 통해 카메라 시장의 기술 트렌드를 주도해 나갈 것”이라고 말했다.

<한주엽 기자>powerusr@ddaily.co.kr