[디지털데일리 한주엽기자] SK하이닉스가 고사양 스마트폰 시장을 공략하기 위해 6기가비트(Gb) LPDDR3 D램을 개발했다. 이 제품을 4단 적층하면 3기가바이트(GB, 24Gb)의 용량을 한 패키지에서 구현할 수 있다.

30일 SK하이닉스(www.skhynix.com, 대표 박성욱)는 차세대 고사양 모바일 기기에 채용될 수 있는 6Gb LPDDR3(Low Power DDR3) 제품을 개발했다고 밝혔다. 이 제품은 20나노급 기술이 적용됐다.

이미 고객사에 샘플을 공급하기 시작했으며 내년 초 양산을 목표로 하고 있다

6Gb D램을 4단 적층하면 3GB의 고용량을 한 패키지에서 구현할 수 있다. 이 경우 4Gb 제품을 6단 적층한 같은 용량 제품 대비 동작 전력 뿐만 아니라 대기 전력 소모도 30% 정도 줄어들고 패키지 높이를 보다 얇게 구성할 수 있게 된다. 이 제품은 초저전압인 1.2V의 동작전압을 갖춰 모바일 기기가 요구하는 저전력의 특성을 만족시킨다.

속도는 1866Mbps이며, 32개의 정보출입구(I/O)를 통해 싱글 채널(Single Channel)은 최대 초당 7.4GB(기가바이트), 듀얼 채널(Dual Channel)의 경우 14.8GB의 데이터를 처리할 수 있다. 이번에 개발된 제품은 ‘PoP(Package on Package)’ 구성으로 모바일 기기에 사용될 수 있다.

SK하이닉스 마케팅본부장 진정훈 전무는 “지난 6월 세계 최초로 고용량인 8Gb LPDDR3를 개발한 데 이어 이번에 20나노급 6Gb LPDDR3 제품을 개발하게 돼 고용량 모바일 제품의 경쟁력을 더욱 강화할 수 있게 됐다”고 설명했다.

3GB LPDDR3 제품은 내년 상반기부터 고성능 스마트폰을 중심으로 채용이 본격화 될 것으로 예상된다.

<한주엽 기자>powerusr@ddaily.co.kr