반도체

삼성전자 3D TSV 기술 적용한 D램 모듈 첫 개발

디지털데일리 발행일 2011-08-17 11:21:25
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한주엽 기자

[디지털데일리 한주엽기자] 삼성전자(www.samsung.com/sec 대표 최지성)는 업계 최초로 3D-TSV(Through Silicon Via 실리콘 관통전극) 기술을 적용한 초고속 엔터프라이즈 서버용 32기가바이트(GB) D램 모듈을 개발했다고 17일 밝혔다.

3D-TSV는 수십 마이크로미터(㎛) 두께로 얇게 만든 실리콘칩에 직접 구멍을 뚫고, 동일한 칩을 수직으로 쌓아 관통전극으로 연결한 최첨단 반도체 패키징 기법으로 속도와 용량 등 반도체 성능을 한층 향상시킬 수 있다.

삼성전자는 지난해 40나노급 2기가비트(Gb) DDR3 D램에 3D-TSV 기술로 적층한 8GB DDR3 RDIMM 제품을 개발한 데 이어 이번에 30나노급 4Gb DDR3 D램 기반의 3D-TSV 32GB RDIMM을 개발해 서버 고객 및 CPU 업체에 제공하기 시작했다.

삼성전자는 기존 32GB RDIMM 제품이 탑재된 서버가 800Mbps(Mega-bit per Second)로 동작하는데 비해 이번 3D-TSV 32GB RDIMM 제품을 탑재할 경우 기존 서버 대비 67% 빠른 1333Mbps까지 고속 동작을 구현할 수 있다고 설명했다.

소비전력은 대용량 서버에 사용되는 30나노급 32GB LRDIMM 보다 30% 이상 절감한 시간당 4.5W로 현재까지 나온 엔터프라이즈 서버용 D램 모듈 제품 중 가장 낮은 수준이라고 밝혔다.

삼성전자 DS사업총괄 메모리사업부 홍완훈 부사장은 “32GB TSV 서버 모듈 제품은 차세대 대용량 서버가 요구하고 있는 고성능·저전력 특성을 확보했다”며 “향후 더욱 성능을 높인 대용량 메모리를 공급해 프리미엄 그린메모리 시장을 지속 확대시켜 나갈 것”이라고 밝혔다.

<한주엽 기자>powerusr@ddaily.co.kr

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