[디지털데일리 고성현 기자] 삼성전자가 고대역폭메모리(HBM) 시장 주도권을 잡기 위한 포석 다지기에 나섰다. 이를 위해 오는 2분기 12단 5세대 HBM(HBM3E)를 양산하고 니즈에 맞는 맞춤형(Custom) HBM을 공급하겠다는 포부를 드러냈다.

김경륜 삼성전자 메모리사업부 상품기획실 상무는 2일 자사 뉴스룸에 기고문을 게재하고 "올해 하반기는 HBM 공급 개선으로 인공지능(AI) 서버 확산이 가속화될 뿐만 아니라, 컨벤셔널(Conventional) 서버와 스토리지 수요도 증가하는 선순환이 뚜렷하게 나타날 것으로 예상된다"고 말했다.

김경륜 상무는 "삼성전자는 2016년 업계 최초로 고성능 컴퓨팅(HPC)용 HBM 사업화를 시작하며, AI용 메모리 시장을 본격적으로 개척했고, 2016년부터 2024년까지 예상되는 총 HBM 매출은 100억달러가 넘을 것으로 전망된다"며 "앞으로 삼성전자는 성장하는 생성형 AI용 수요 대응을 위해 HBM 캐파 확대와 함께 공급을 지속 늘려나갈 것"이라고 밝혔다.

메모리반도체 분야가 HBM 확대로 맞춤형 제품이 되고 있다는 점도 강조했다. 서버등 고객사별 수요에 따라 핵심 블록이 변경되거나 추가되는 만큼, 이에 대응한 제품을 내놓고 시장 경쟁에서 승리하겠다는 의미로 풀이된다.

김 상무는 "HBM 제품은 D램 셀을 사용해 만든 코어 다이와 시스템온칩(SoC)과의 인터페이스를 위한 버퍼 다이로 구성되는데, 고객들은 버퍼 다이 영역에 대해 맞춤형 IP 설계를 요청할 수 있다"며 "이는 HBM 개발 및 공급을 위한 비즈니스 계획에서부터 D램 셀 개발, 로직 설계, 패키징 및 품질 검증에 이르기까지 모든 분야에서 차별화 및 최적화가 주요 경쟁 요인이 될 것"이라고 설명했다.

이어 그는 "삼성전자는 차세대 HBM 초격차 달성을 위해 메모리뿐만 아니라 파운드리, 시스템LSI, AVP의 차별화된 사업부 역량과 리소스를 총 집결해 경계를 뛰어넘는 차세대 혁신을 주도해 나갈 계획"이라며 "삼성전자는 업계에서 단시간에 따라올 수 없는 종합 반도체 역량을 바탕으로 AI 시대에 걸맞은 최적의 솔루션을 지속적으로 선보일 예정"이라고 강조했다.

그러는 한편 AI 발전을 위한 3D D램, PC·노트북 등에 활용할 온디바이스 AI 관련 제품 경쟁력도 강조했다.

김 상무는 "삼성전자는 D램 기술 초격차 유지를 위해 10nm 이하 D램에 수직 채널 트랜지스터(Vertical Channel Transistor, VCT)를 활용하는 새로운 구조에 대한 선제적인 연구 개발을 진행하고 있으며, 2030년 3D D램 상용화에 나설 계획"이라고 설명했다.

아울러 "온디바이스 AI 관련 제품도 확대중"이라며 "PC·노트북 D램 시장 판도를 바꿀 LPCAMM2를 지난해 9월 업계 최초로 개발했고, 기존 LPDDR 대비 고대역폭을 가지고 있어 기기에서 생성되는 데이터를 실시간으로 처리할 수 있는 LLW(Low Latency Wide I/O)를 개발 중"이라고 덧붙였다.

김경륜 상무는 "기존 D램과 공존하며 시스템 내 대역폭과 용량을 확장할 수 있는 CMM-D는 거대 데이터 처리가 요구되는 차세대 컴퓨팅 시장에서 주목받을 것으로 예상된다"며 "이밖에 미래 AI 시대를 대비하기 위해 컴퓨테이셔널 메모리, 첨단 패키지 기술 등을 통해 새로운 솔루션 발굴을 추진하고 있다"고 말했다.