[디지털데일리 김문기기자] ST마이크로일렉트로닉스(지사장 박준식)는 차세대 임베디드 프로세싱 기기를 지원하기 위해 ePCM(embedded Phase Change Memory)을 탑재한 18nm FD-SOI(Fully Depleted Silicon On Insulator) 기술 기반의 첨단 프로세스를 21일 발표했다.

ST와 삼성 파운드리가 공동 개발한 이 새로운 프로세스 기술은 임베디드 프로세싱 애플리케이션의 성능과 전력 소모를 위해 가격 경쟁력을 높이는 동시에 더 큰 메모리 용량과 아날로그 및 디지털 주변 장치를 한증 더 높은 수준으로 통합하게 해준다.

이 새로운 기술에 기반한 최초의 차세대 STM32 마이크로컨트롤러는 올해 하반기에 일부 고객을 대상으로 샘플을 제공한다. 오는 2025년 하반기에 본격 생산될 예정이다.

레미 엘 우아잔 ST 마이크로컨트롤러, 디지털 IC 및 RF 제품 그룹 사장은 “ST는 반도체 업계를 선도하는 혁신 기업으로서, 자동차 및 항공우주 애플리케이션을 지원하는 FD-SOI 및 PCM 기술을 개발해 고객에게 제공해 왔다. 이제 차세대 STM32 마이크로컨트롤러를 출발점으로 삼아 다음 단계로 나아가면서 산업용 애플리케이션 개발자에게 이러한 기술의 이점을 제공하고자 한다”고 밝혔다.

현재 사용 중인 ST 40nm eNVM(embedded Non-Volatile Memory) 기술과 비교했을 때, ePCM이 적용된 18nm FD-SOI는 주요 성능을 향상시켜 준다. 전력 대비 성능 50% 이상 향상, 2.5배 더 높은 NVM(Non-Volatile Memory) 밀도로 더 큰 온칩 메모리 구현, 3배 더 높은 디지털 밀도로 AI 및 그래픽 가속기 등의 디지털 주변 장치와 최첨단 보안 및 안전 기능의 통합 지원, 3dB 향상된 잡음 지수로 무선 MCU의 RF 성능 향상을 이룰 수 있다.

이 기술은 3V로 동작할 수 있어 전원 관리, 재설정 시스템, 클록 소스, 디지털/아날로그 컨버터와 같은 아날로그 기능을 제공하며, 이러한 성능을 지원하는 유일한 20nm 미만 기술이다. 또한, 자동차 애플리케이션에서 입증된 바 있는 강력한 고온 작동, 방사선 경화, 데이터 보존 기능으로 까다로운 산업용 애플리케이션에 필요한 신뢰성을 제공하고 있다.