[디지털데일리 한주엽기자] 삼성전자가 모바일 D램의 20나노 시대를 본격화 한다.

23일 삼성전자가 세계 최초로 20나노 공정을 적용한 8기가비트(Gb) LPDDR4(Low Power Double Data Rate 4) 모바일 D램을 양산했다. 8Gb D램을 4단 적층하면 기존 4Gb(4단 적층시 2GB), 혹은 6Gb(3GB) 제품으로는 구성할 수 없었던 4기가바이트(GB, 32Gb)의 고용량 제품을 한 패키지에서 구현할 수 있다. LPDDR4는 기존 LPDDR3보다 2배 빠르게 데이터를 처리하면서도 소비전력은 최대 40% 절감할 수 있다.

신제품에는 삼성전자가 독자 개발한 LVSTL(Low-Voltage Swing-Terminated Logic) 입출력(IO) 인터페이스가 적용됐다. 이 인터페이스는 저전력, 고성능이 특징이다. LVSTL의 신호 전압은 367mV 또는 440mV로 기존 LPDDR3의 IO 인터페이스인 HSUL(High Speed Unterminated Logic)의 절반 수준으로 낮다. 일반 PC D램(1600Mb/s) 보다 2배 빠른 3200Mb/s로 데이터를 처리해 울트라HD(UHD)급의 동영상과 2000만화소 이상의 초고화질 사진을 연속으로 촬영할 수 있다. LVSTL IO 인터페이스는 삼성전자가 개발했고 국제반도체표준협의기구(Joint Electron Device Engineering Council, JEDEC)는 이를 LPDDR4의 표준 규격(JESD209-4)으로 받아들였다. 삼성전자는 올해 글로벌 스마트폰 제조업체들의 프리미엄급 제품 출시에 맞춰 2GB, 3GB LPDDR4 D램을 동시 공급했고, 내년에는 4GB LPDDR4 D램을 본격 공급해 라인업을 더욱 확대할 예정이다.

최주선 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀 부사장은 “8기가비트 모바일 D램 양산으로 고객들이 차세대 플래그십 모바일 기기를 적기에 출시하는 데 크게 기여하게 됐다”며 “향후 글로벌 고객들과 기술 협력을 강화해 새로운 OS 환경에 최적화된 D램 솔루션을 한 발 앞서 제공할 것”이라고 강조했다.

삼성전자의 20나노 4GB LPDDR4 모바일 D램은 CES 2015 혁신상도 받았다. 삼성전자는 메모리 업계에서는 유일하게 모바일 D램으로 3년 연속 혁신상을 받았다.

<한주엽 기자>powerusr@ddaily.co.kr