[디지털데일리 배태용 기자] 온세미는 22일 최신 세대 실리콘 카바이드(SiC) 기술 플랫폼인 엘리트 실리콘 카바이드(이하 EliteSiC) 'M3e MOSFET' 도입을 발표했다. 2030년까지 여러 세대를 추가로 출시할 계획이다.

기후 위기가 심화되고 전 세계 에너지 수요가 급증함에 따라, 정부와 산업계는 환경 영향을 줄이고 지속 가능한 미래를 보장하기 위한 야심찬 기후 목표를 설정하고 있다. 이러한 노력의 핵심은 탄소 배출을 줄이고 재생 가능 에너지 자원을 수용하기 위한 전기화(Electrification)로의 전환이다.

EliteSiC M3e MOSFET은 차세대 전기 시스템의 성능과 신뢰성을 킬로와트(Kw)당 더 낮은 비용으로 구현, 전기화 이니셔티브의 효과적인 적용에 영향을 미치는 근본적인 역할을 한다.

또한 더 높은 스위칭 주파수와 전압에서 작동하면서 전력 변환 손실을 최소화할 수 있어 전기차 파워트레인, DC 고속 충전기, 태양광 인버터 및 에너지 저장 솔루션과 같은 다양한 자동차과 산업 애플리케이션에 필수적이다.

이전 세대에 비해 전도 손실을 30%, 턴오프 손실을 최대 50%까지 줄일 수 있다. 온세미는 SiC 플라나 MOFET의 수명을 연장하고 EliteSiC M3e기술로 업계 최고의 성능을 제공해 플랫폼의 견고성과 안정성을 보장하며 중요한 전기화 애플리케이션에서도 선호되는 선택이 될 것이다.

업계에서 가장 낮은 특정 온 저항(RSP)과 단락 회로 기능을 제공한다. 온세미의 최첨단 디스크리트 및 전력 모듈로 패키징된 1200V M3e 다이는 이전 기술보다 훨씬 더 많은 상 전류를 제공, 동일한 트랙션 인버터 하우징에서 약 20% 더 많은 출력 전력 환경이 만들어진다.

또한, 온세미는 EliteSiC M3e 플랫폼과 함께 사용할 수 있는 게이트 드라이버, DC-DC 컨버터, e-퓨즈 등을 포함한 더 폭넓은 지능형 전력 기술 포트폴리오를 제공한다. 온세미의 최적화되고 공동 엔지니어링 된 전력 스위치, 드라이버 및 컨트롤러의 엔드 투 엔드(end-to-end) 조합은 시스템 통합을 통해 고급 기능을 가능하게 하고 전체 시스템 비용을 낮출 수도 있다.

므리날 다스(Mrinal Das) 온세미 전력 솔루션 그룹 기술 마케팅 수석 "전력 반도체 분야에서 쌓아온 수십 년간의 경험을 바탕으로 엔지니어링과 제조 역량에서 속도와 혁신의 한계를 넘어 증가하는 글로벌 에너지 수요를 충족하기 위해 노력하고 있다"라며 "SiC에서는 재료, 소자, 패키지 간에 큰 기술적 상호 의존성이 존재한다. 이러한 핵심 측면에 대한 완전한 소유권을 가지면 설계 및 제조 과정을 통제할 수 있어 새로운 세대를 훨씬 더 빠르게 시장에 출시할 수 있다"고 말했다.