- 日 섬코 주도 로직용 7나노 에피텍셜 웨이퍼 진출

[디지털데일리 김도현기자] SK실트론이 차세대 웨이퍼 국산화에 성공했다. 일본이 주도한 극자외선(EUV) 공정 웨이퍼를 자체 개발했다. 삼성전자와 TSMC 등 고객사 확보에 나섰다.

2일 SK실트론에 따르면 SK실트론은 로직용 7나노미터(nm) 에피텍셜(Epitaxial) 웨이퍼를 개발해 고객사에 납품했다.

웨이퍼는 ‘폴리시드’(Polished)와 ‘에피텍셜’로 나뉜다. 폴시시드는 D램·낸드플래시·드라이버 집적회로(IC) 등에, 에피텍셜은 전력관리반도체(PMIC), 이미지센서, 마이크로프로세서(MPU) 등에 주로 활용한다.
폴리시드는 실리콘웨이퍼 그대로인 상태다. 가장 보편적으로 사용된다. 에피텍셜은 폴리시드에 추가 공정을 거친다. 웨이퍼 기판 위에 단일 결정의 반도체 박막층 ‘에피’를 증착한다. 폴리시드 대비 가격이 높지만 반도체 불량을 줄일 수 있다. 에피는 반도체 제조사에 따라 요구사항이 다르다. SK실트론이 개발 및 공급한 웨이퍼는 로직용 7나노라는 조건에 맞췄다.

7나노 시스템반도체 생산을 할 수 있는 업체는 삼성전자와 대만 TSMC 등이다. SK실트론 웨이퍼도 이들을 타깃으로 한 것으로 보인다. 그동안 이 웨이퍼는 일본 섬코가 대부분을 납품했다. 섬코는 세계 웨이퍼 시장 4분의 1 정도를 차지하고 있는 업체다.

반도체 업계 관계자는 “당장 SK실트론이 로직용 7나노 에피텍셜 웨이퍼 등의 분야에서 엄청난 실적을 기록하기는 힘들겠지만, 미래 성장동력 발굴이라는 데 의미가 있다”며 “이번에 공급하게 된 EUV용 웨이퍼의 경우 일본 업체 위주였던 만큼 SK실트론이 대체제로 일부 물량을 확보할 수 있을 것”이라고 설명했다.

<김도현 기자>dobest@ddaily.co.kr


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